BUK761R3-30E,118

BUK761R3-30E,118图片1
BUK761R3-30E,118图片2
BUK761R3-30E,118图片3
BUK761R3-30E,118图片4
BUK761R3-30E,118概述

D2PAK N-CH 30V 120A

N-Channel 30V 120A Tc 357W Tc Surface Mount D2PAK


得捷:
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 120A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
MOS Power Transistors LV < 200V


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 120A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


BUK761R3-30E,118中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 357W Tc

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 120A

输入电容Ciss 11960pF @25VVds

额定功率Max 357 W

耗散功率Max 357W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BUK761R3-30E,118
型号: BUK761R3-30E,118
制造商: NXP 恩智浦
描述:D2PAK N-CH 30V 120A

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司