晶体管, MOSFET, N沟道, 37 A, 120 V, 0.021 ohm, 10 V, 3 V
Summary of Features:
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- Excellent switching performance
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- World’s lowest R DSon
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- Very low Q g and Q gd
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- Excellent gate charge x R DSon product FOM
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- RoHS compliant-halogen free
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- MSL1 rated 2
Benefits:
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- Environmentally friendly
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- Increased efficiency
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- Highest power density
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- Less paralleling required
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- Smallest board-space consumption
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- Easy-to-design products
额定功率 66 W
针脚数 8
漏源极电阻 0.021 Ω
极性 N-CH
耗散功率 66 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 120 V
连续漏极电流Ids 37A
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 1400pF @60VVds
下降时间 4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 66000 mW
引脚数 8
封装 TSDSON
封装 TSDSON
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, Class D audio amplifiers, Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BSZ240N12NS3GATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
BSZ240N12NS3G 英飞凌 | 类似代替 | BSZ240N12NS3GATMA1和BSZ240N12NS3G的区别 |
BSC240N12NS3G 英飞凌 | 功能相似 | BSZ240N12NS3GATMA1和BSC240N12NS3G的区别 |
BSC190N12NS3G 英飞凌 | 功能相似 | BSZ240N12NS3GATMA1和BSC190N12NS3G的区别 |