

通用晶体管( PNP硅) General Purpose TransistorsPNP Silicon
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −45V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| -800mA/-0.8A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 120~400 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -1.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| GENERAL PURPOSE TRANSISTOR 描述与应用| 通用
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BCW68GLT1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BCW68GLT1G 安森美 | 完全替代 | BCW68GLT1和BCW68GLT1G的区别 |