BCW68GLT1

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BCW68GLT1概述

通用晶体管( PNP硅) General Purpose TransistorsPNP Silicon

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −45V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| -800mA/-0.8A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 120~400 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -1.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| GENERAL PURPOSE TRANSISTOR 描述与应用| 通用

BCW68GLT1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -45.0 V

额定电流 -800 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.8A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买BCW68GLT1
型号: BCW68GLT1
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:通用晶体管( PNP硅) General Purpose TransistorsPNP Silicon
替代型号BCW68GLT1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BCW68GLT1

ON Semiconductor 安森美

当前型号

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BCW68GLT1G

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BCW68GLT1和BCW68GLT1G的区别

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