BLP7G07S-140P,118

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BLP7G07S-140P,118概述

射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 700-1GHz 65V 20.6dB

RF Mosfet LDMOS(双) 28 V 700MHz ~ 1GHz 20.6dB 35W 4-HSOPF


得捷:
TRANSISTOR RF POWER 140W HSOP4F


贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 700-1GHz 65V 20.6dB


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 4-Pin HSOP-F T/R


Win Source:
TRANSISTOR RF POWER 140W HSOP4F / RF Mosfet LDMOS Dual 28 V 700MHz ~ 1GHz 20.6dB 35W 4-HSOPF


BLP7G07S-140P,118中文资料参数规格
技术参数

频率 700MHz ~ 1GHz

输出功率 35 W

增益 20.6 dB

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

封装参数

引脚数 4

封装 SOT-1223-1

外形尺寸

封装 SOT-1223-1

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BLP7G07S-140P,118
型号: BLP7G07S-140P,118
制造商: NXP 恩智浦
描述:射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 700-1GHz 65V 20.6dB

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