BC635参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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BC635中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 45.0 V

额定电流 1.00 A

极性 NPN

耗散功率 1.00 W

击穿电压集电极-发射极 45 V

最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 2V

额定功率Max 1 W

耗散功率Max 1 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BC635

型号： BC635

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：NPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

替代型号BC635

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

BC635

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

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BC635ZL1G

安森美

功能相似

BC635和BC635ZL1G的区别

BC635RL1G

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