BUZ21L

BUZ21L图片1
BUZ21L中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 21A

上升时间 110 ns

输入电容Ciss 1200pF @25VVds

下降时间 100 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 75000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: BUZ21L
制造商: Infineon 英飞凌
描述:SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor

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