BC549

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BC549中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

耗散功率 500 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

最小电流放大倍数hFE 110 @2mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 800

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BC549
型号: BC549
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:NPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
替代型号BC549
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