BU4S11G2-TR

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BU4S11G2-TR概述

ROHM  BU4S11G2-TR  与非门, 1门, 2输入, 3.4 mA, 3V至16V, SSOP-5

The is a general purpose CMOS logic single 2-input NAND Gate. An inverter-based buffer is incorporated at the gate output to improve I/O transmission characteristics and it minimizes a variation in the propagation delay time caused by an increase in the load capacitance.

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Low power consumption
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High noise immunity
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Wide operating supply voltage range
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High input impedance
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High fan out
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Input can be directly driven 2 L-TTL inputs or 1 LS-TTL
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Buffered output
BU4S11G2-TR中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 15.0 V

输出接口数 1

输出电流 3.4 mA

电路数 1

针脚数 5

逻辑门个数 1

输入数 2

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 16V

电源电压Max 16 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 SSOP-5

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.6 mm

高度 1.1 mm

封装 SSOP-5

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Industrial, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

BU4S11G2-TR引脚图与封装图
BU4S11G2-TR引脚图
BU4S11G2-TR封装图
BU4S11G2-TR封装焊盘图
在线购买BU4S11G2-TR
型号: BU4S11G2-TR
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:ROHM  BU4S11G2-TR  与非门, 1门, 2输入, 3.4 mA, 3V至16V, SSOP-5
替代型号BU4S11G2-TR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BU4S11G2-TR

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

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BU4S81G2-TR

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