BCP 53-16 E6327参数规格_中文资料_数据手册PDF

BCP 53-16 E6327概述

Trans GP BJT PNP 80V 1A 4Pin3+Tab SOT-223 T/R

Bipolar BJT Transistor PNP 80V 1A 125MHz 2W Surface Mount PG-SOT223-4

得捷:
TRANS PNP 80V 1A SOT143R-3D

安富利:
Trans GP BJT PNP 80V 1A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R

Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 80V 1A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R

BCP 53-16 E6327中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -80.0 V

额定电流 -1.00 A

耗散功率 2000 mW

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V

额定功率Max 2 W

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-223-4

外形尺寸

封装 SOT-223-4

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BCP 53-16 E6327

型号： BCP 53-16 E6327

描述：Trans GP BJT PNP 80V 1A 4Pin3+Tab SOT-223 T/R

替代型号BCP 53-16 E6327