BC857BWT1

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BC857BWT1概述

通用晶体管( PNP硅) General Purpose TransistorsPNP Silicon

Bipolar BJT Transistor PNP 45V 100mA 100MHz 150mW Surface Mount SC-70-3 SOT323


得捷:
TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V PNP


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin SC-70 T/R


BC857BWT1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -45.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

耗散功率 150 mW

增益频宽积 100 MHz

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 220 @2mA, 5V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-70-3

外形尺寸

长度 2.1 mm

宽度 1.24 mm

高度 0.85 mm

封装 SC-70-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买BC857BWT1
型号: BC857BWT1
描述:通用晶体管( PNP硅) General Purpose TransistorsPNP Silicon
替代型号BC857BWT1
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