BSC0901NS中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0016 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 69 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 6.8 ns
输入电容Ciss 2800pF @15VVds
额定功率Max 69 W
下降时间 4.8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 69W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TDSON-8
外形尺寸
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
高度 1.27 mm
封装 PG-TDSON-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Onboard charger, Mainboard, VRD/VRM
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买BSC0901NS
型号： BSC0901NS
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON BSC0901NS 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0016 ohm, 10 V, 2 V
替代型号BSC0901NS
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BSC0901NS Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
CSD16407Q5 德州仪器 | 功能相似 | BSC0901NS和CSD16407Q5的区别 |