BCM856BS,115

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BCM856BS,115中文资料参数规格
技术参数

频率 175 MHz

针脚数 6

极性 PNP

耗散功率 300 mW

增益频宽积 175 MHz

击穿电压集电极-发射极 65 V

集电极最大允许电流 0.1A

测试电流 5 mA

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V

稳压值 33 V

额定功率Max 300 mW

直流电流增益hFE 450

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSSOP-6

外形尺寸

高度 1 mm

封装 TSSOP-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BCM856BS,115
型号: BCM856BS,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  BCM856BS,115  双极性晶体管阵列, 双路PNP, -65V, -100mA, 6-SOT-363
替代型号BCM856BS,115
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