BSZ0501NSIATMA1概述
N沟道 30V 25A 40A
表面贴装型 N 通道 25A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），50W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
欧时:
INFINEON MOSFET BSZ0501NSIATMA1
立创商城:
N沟道 30V 40A 25A
得捷:
MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TSDSON EP T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8SON
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TSDSON EP T/R
BSZ0501NSIATMA1中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 50 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 40A
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 2000pF @15VVds
下降时间 3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.1W Ta, 50W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TSDSON-8-FL
外形尺寸
封装 PG-TSDSON-8-FL
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 and, CPU/GPU VR in notebooks, High power density voltage regulator, Single-phase and multiphase POL, E-fuse, Or-ing
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
在线购买BSZ0501NSIATMA1