BSH112,235参数规格_中文资料_数据手册PDF

BSH112,235概述

TO-236AB N-CH 60V 0.3A

表面贴装型 N 通道 60 V 300mA（Ta） 830mW（Tc） TO-236AB（SOT23）

得捷:
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin TO-236AB T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23

BSH112,235中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 830 mW

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 300 mA

输入电容Ciss 40pF @10VVds

额定功率Max 830 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 830mW Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

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型号： BSH112,235

描述：TO-236AB N-CH 60V 0.3A

替代型号BSH112,235