IInfineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,高达 40VOptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET,用于 SMPS 优化技术,用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道,逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM 极低导通电阻 R DSon 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
I OptiMOS™3 功率 MOSFET,高达 40V
OptiMOS™产品提供高效能封装,以解决最具挑战性的应用,在有限空间内提供完全的灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
快速切换 MOSFET,用于 SMPS
优化技术,用于直流/直流转换器
符合目标应用的 JEDEC1 规格
N 通道,逻辑电平
极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM
极低导通电阻 R DSon
无铅电镀
立创商城:
BSC057N03MS G
得捷:
MOSFET N-CH 30V 71A TDSON-8
欧时:
### IInfineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,高达 40VOptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET,用于 SMPS 优化技术,用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道,逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM 极低导通电阻 R DSon 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TDSON T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TDSON EP
儒卓力:
**N-CH 30V 71A 5.7mOhm TDSON-8 **
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 71A TDSON-8
DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 71A TDSON-8
漏源极电阻 0.0048 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 45 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 6.6 ns
输入电容Ciss 2300pF @15VVds
额定功率Max 45 W
下降时间 6.8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 45 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TSDSON
长度 5.35 mm
宽度 6.1 mm
高度 1.1 mm
封装 PG-TSDSON
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Onboard charger, VRD/VRM, Mainboard
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BSC057N03MS G Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SIR468DP-T1-GE3 威世 | 功能相似 | BSC057N03MS G和SIR468DP-T1-GE3的区别 |
FDMS7678 飞兆/仙童 | 功能相似 | BSC057N03MS G和FDMS7678的区别 |