VISHAY BPV11F 光电三极管,T1.3/4
930nm 顶视图 径向，5mm 直径（T 1 3/4）
得捷:
PHOTOTRANSISTOR 900 TO 980 NM
e络盟:
VISHAY BPV11F.. 光传感器光探测器, NPN
艾睿:
Phototransistor IR Chip Silicon 930nm 2-Pin T-1 3/4
安富利:
Phototransistor IR Chip Silicon 930nm 2-Pin T-1 3/4
富昌:
850 nm ±15° 灵敏度 70 V 50 mA 通孔 NPN 光电晶体管 - T-1 3/4
TME:
Phototransistor; black with IR filter; 30°; λp max:950nm; 1nA
Verical:
Phototransistor IR Chip Silicon 930nm 2-Pin T-1 3/4
AMEYA360:
Vishay BPV11F, 30 ° 红外 光电晶体管, 通孔安装 5mm 封装
电源电压DC 5.00 V
额定电流 50.0 mA
上升/下降时间 6 ns
通道数 1
针脚数 3
波长 930 nm
视角 15°
峰值波长 930 nm
极性 NPN
耗散功率 150 mW
功耗 150 mW
上升时间 6 µs
击穿电压集电极-发射极 70 V
额定功率Max 150 mW
下降时间 5 µs
工作温度Max 100 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 T-1
长度 5.75 mm
宽度 5.75 mm
高度 8.6 mm
封装 T-1
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 100℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Each
制造应用 传感与仪器, 测试与测量, Sensing & Instrumentation, Test & Measurement
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free