频率 100 MHz
极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
额定功率Max 200 mW
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
高度 1 mm
封装 SOT-323-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BC850BW,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BC847BW,115 恩智浦 | 完全替代 | BC850BW,115和BC847BW,115的区别 |
BC850BW,135 恩智浦 | 完全替代 | BC850BW,115和BC850BW,135的区别 |
BC850CW,115 恩智浦 | 类似代替 | BC850BW,115和BC850CW,115的区别 |