BC 858A E6327

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BC 858A E6327中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.3333333333333333 W

耗散功率 330 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

最小电流放大倍数hFE 125 @2mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 800 @2mA, 5V

额定功率Max 330 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 330 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BC 858A E6327
型号: BC 858A E6327
制造商: Infineon 英飞凌
描述:双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR

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