BTS247ZE3062AATMA2

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BTS247ZE3062AATMA2概述

D2PAK N-CH 55V 33A

表面贴装型 N 通道 55 V 33A(Tc) 120W(Tc) PG-TO263-5-2


得捷:
MOSFET N-CH 55V 33A TO263-5


贸泽:
MOSFET N-Ch 55V 19A D2PAK-4


艾睿:
Make an effective common source amplifier using this BTS247ZE3062AATMA2 power MOSFET from Infineon Technologies. Its maximum power dissipation is 120000 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -40 °C and a maximum of 175 °C.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 55V 33A 5-Pin TO-263 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 33A Automotive 5-Pin4+Tab D2PAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5


BTS247ZE3062AATMA2中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 18 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 120 W

阈值电压 1.6 V

漏源极电压Vds 55 V

漏源击穿电压 55 V

连续漏极电流Ids 33A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 1730pF @25VVds

下降时间 20 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 120W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 TO-263-5

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-5

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 MOSFET with temperature sensor

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BTS247ZE3062AATMA2
型号: BTS247ZE3062AATMA2
描述:D2PAK N-CH 55V 33A
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