



D2PAK N-CH 55V 33A
表面贴装型 N 通道 55 V 33A(Tc) 120W(Tc) PG-TO263-5-2
得捷:
MOSFET N-CH 55V 33A TO263-5
贸泽:
MOSFET N-Ch 55V 19A D2PAK-4
艾睿:
Make an effective common source amplifier using this BTS247ZE3062AATMA2 power MOSFET from Infineon Technologies. Its maximum power dissipation is 120000 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -40 °C and a maximum of 175 °C.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 55V 33A 5-Pin TO-263 T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 33A Automotive 5-Pin4+Tab D2PAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5
通道数 1
漏源极电阻 18 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 120 W
阈值电压 1.6 V
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
连续漏极电流Ids 33A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 1730pF @25VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 120W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 TO-263-5
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-5
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 MOSFET with temperature sensor
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BTS247ZE3062AATMA2 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
BTS247Z E3062A 英飞凌 | 类似代替 | BTS247ZE3062AATMA2和BTS247Z E3062A的区别 |
BTS247ZE3043AKSA1 英飞凌 | 功能相似 | BTS247ZE3062AATMA2和BTS247ZE3043AKSA1的区别 |
BTS247ZAKSA1 英飞凌 | 功能相似 | BTS247ZE3062AATMA2和BTS247ZAKSA1的区别 |