BSZ0907ND

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BSZ0907ND中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 11.1A/13.8A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 QFN

外形尺寸

封装 QFN

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: BSZ0907ND
制造商: Infineon 英飞凌
描述:30V,25A,N沟道功率MOSFET

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