Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀;符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage | -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage | ±12V 最大漏极电流IdDrain Current | -6A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance | 43mΩ~65mΩ@VGS=-2.5V, ID=-4.9A 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage | -0.6V~-1.2V 耗散功率PdPower Dissipation | 2W Description & Applications额定电压DC -20.0 V
额定电流 -6.00 A
极性 P-CH
耗散功率 2W Ta
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 6.00 A
上升时间 17 ns
输入电容Ciss 1007pF @15VVds
额定功率Max 2 W
下降时间 53 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOP-6-6
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 1 mm
封装 TSOP-6-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Onboard charger
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BSL207SP Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
BSL207SPL6327HTSA1 英飞凌 | 类似代替 | BSL207SP和BSL207SPL6327HTSA1的区别 |
BSL207SPL6327 英飞凌 | 功能相似 | BSL207SP和BSL207SPL6327的区别 |