BSC882N03LS G

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BSC882N03LS G中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 69 W

上升时间 9 ns

下降时间 9.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

封装 SON-8

外形尺寸

长度 5.9 mm

宽度 5.15 mm

高度 1.27 mm

封装 SON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BSC882N03LS G
型号: BSC882N03LS G
制造商: Infineon 英飞凌
描述:MOSFET N-Ch 34V 100A SON-8

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