P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
表面贴装型 N 通道 25 V 27A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），50W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
欧时:
Infineon BSZ017NE2LS5IATMA1
得捷:
MOSFET N-CH 25V 27A/40A 8TSDSON
贸泽:
MOSFET LV POWER MOS
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 25V 27A 8SON
Verical:
Trans MOSFET N-CH 25V 27A 8-Pin TSDSON EP T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 25V 27A/40A TSDSON / N-Channel 25 V 27A Ta, 40A Tc 2.1W Ta, 50W Tc Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
极性 N-CH
耗散功率 2.1 W
漏源极电压Vds 25 V
漏源击穿电压 25 V
连续漏极电流Ids 40A
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 2000pF @12VVds
下降时间 3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.1W Ta, 50W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TSDSON-8-FL
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
高度 1.1 mm
封装 PG-TSDSON-8-FL
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 E-fuse, CPU/GPU VR in notebooks, High power density voltage regulator, Or-ing, Single-phase and multiphase POL, and
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free