BZW06-102B

BZW06-102B图片1
BZW06-102B图片2
BZW06-102B图片3
BZW06-102B中文资料参数规格
技术参数

击穿电压 114 V

耗散功率 600 W

钳位电压 165 V

最大反向击穿电压 126 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 114 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Axial

引脚数 2

封装 DO-15-2

外形尺寸

长度 7.6 mm

封装 DO-15-2

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BZW06-102B
型号: BZW06-102B
制造商: Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述:TAIWAN SEMICONDUCTOR BZW06-102B TVS Diode, Bidirectional, 10.2V, 165V, DO-15, 2Pins
替代型号BZW06-102B
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BZW06-102B

Taiwan Semiconductor 台湾半导体

当前型号

当前型号

SA100C-E3/54

威世

功能相似

BZW06-102B和SA100C-E3/54的区别

SA100C-G

Sensitron Semiconductor

功能相似

BZW06-102B和SA100C-G的区别

SA100C-T3

Won-Top Electronics

功能相似

BZW06-102B和SA100C-T3的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司