














N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments
欧时:
Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD16321Q5, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
得捷:
MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
立创商城:
N沟道 25V 31A
德州仪器TI:
25-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 2.6 mOhm
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 25 V, 100 A, 0.0019 ohm, SON, 表面安装
艾睿:
This CSD16321Q5 power MOSFET from Texas Instruments can not only be used for amplifying electronic signals but also for switching between electronic signals. Its maximum power dissipation is 3100 mW. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. This device utilizes nexfet technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin SON T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS CSD16321Q5 MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 25 V, 0.0019 ohm, 8 V, 1.1 V
力源芯城:
25V,100A,N沟道NexFET功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
DeviceMart:
MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
针脚数 8
漏源极电阻 0.0019 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.1 W
阈值电压 1.1 V
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 100 A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 3100pF @12.5VVds
额定功率Max 3.1 W
下降时间 17 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.1W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 8-VSON-CLIP
长度 6.1 mm
宽度 5.1 mm
高度 1.05 mm
封装 8-VSON-CLIP
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通信与网络, 工业, 电源管理, 计算机和计算机周边
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15



| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
CSD16321Q5 TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
CSD16321Q5C 德州仪器 | 完全替代 | CSD16321Q5和CSD16321Q5C的区别 |
CSD16325Q5 德州仪器 | 类似代替 | CSD16321Q5和CSD16325Q5的区别 |
CSD16322Q5 德州仪器 | 功能相似 | CSD16321Q5和CSD16322Q5的区别 |