CLF1G0060-10U

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CLF1G0060-10U概述

RF Power Transistor, DC- 6GHz, 10W, 17.7dB, 50V, GaN

RF Mosfet GaN HEMT 50V 50mA 3GHz ~ 3.5GHz 14.5dB 10W CDFM2


得捷:
RF FET HEMT 150V 14.5DB SOT1227A


艾睿:
Trans JFET N-CH 150V GaN HEMT 3-Pin CDFM Bulk


富昌:
CLF1G0060 系列 DC 至 6 GHz 150 V 宽带 RF 功率 GaN HEMT - SOT-1227A


RfMW:
RF Power Transistor, DC- 6 GHz, 10 W, 17.7 dB, 50 V, GaN


CLF1G0060-10U中文资料参数规格
技术参数

频率 3GHz ~ 3.5GHz

输出功率 10 W

增益 14.5 dB

测试电流 50 mA

额定电压 150 V

电源电压 50 V

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 3

封装 SOT-1227

外形尺寸

封装 SOT-1227

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买CLF1G0060-10U
型号: CLF1G0060-10U
制造商: Ampleon USA
描述:RF Power Transistor, DC- 6GHz, 10W, 17.7dB, 50V, GaN

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