CSD85312Q3E概述
双路 20V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，CSD85312Q3E
是一款设计用于适配器或 USB 输入保护的 20V 共源、双路 N 通道器件。 此类 SON 3.3mm x 3.3mm 器件有低漏极到漏极导通电阻，这大大减少了损耗并且为空间受限的多节电池充电类应用提供低组件数量。
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- 共源连接
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- 超低漏极到漏极导通电阻
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- 节省空间的小外形尺寸无引线 SON 3.3mm x 3.3mm 塑料封装
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- 针对 5V 栅极驱动进行了优化
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- 低热阻
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- 雪崩额定值
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- 无铅端子电镀
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- 符合 RoHS 环保标准
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- 无卤素
## 应用范围
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- 针对笔记本个人电脑 PC 和平板电脑的适配器或 USB 输入保护
CSD85312Q3E中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.0103 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 1.1 V
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 39A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 2390pF @10VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 6 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerVDFN-8
外形尺寸
封装 PowerVDFN-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
CSD85312Q3E引脚图与封装图 
