CSD17555Q5A

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CSD17555Q5A概述

30V N 通道 NexFET 功率 MOSFET、CSD17555Q5A

此 NexFET 功率 MOSFET 被设计用于在功率转换应用中大大降低功率损失。

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超低 Qg和 Qgd
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低热阻
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雪崩级
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无铅端子镀层
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符合 RoHS 标准
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无卤素
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小外形无引线 SON 5mm × 6mm 塑料封装

得捷:
MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON


立创商城:
CSD17555Q5A


德州仪器TI:
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 2.7 mOhm


贸泽:
MOSFET 30V N-ch NexFET Pwr MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 116A 8-Pin SON EP T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R


DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON


CSD17555Q5A中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 3 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 24A

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 4650pF @15VVds

额定功率Max 3 W

下降时间 5.3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSON-FET-8

外形尺寸

长度 6 mm

宽度 4.9 mm

高度 1 mm

封装 VSON-FET-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

CSD17555Q5A引脚图与封装图
CSD17555Q5A引脚图
CSD17555Q5A封装图
CSD17555Q5A封装焊盘图
在线购买CSD17555Q5A
型号: CSD17555Q5A
制造商: TI 德州仪器
描述:30V N 通道 NexFET 功率 MOSFET、CSD17555Q5A
替代型号CSD17555Q5A
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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