高占空比同步降压 NexFET 3x3 电源块
NexFET 电源块是面向同步降压和升压应用的优化设计方案,能够以 3.3mm x 3.3mm 的小外形尺寸提供高电流、高效率以及高频率性能。 已针对 5V 栅极驱动应用进行优化,这款产品在与外部控制器或驱动器配对使用时可在高占空比应用中提供灵活的解决方案。
## 应用范围
针脚数 8
漏源极电阻 0.0119 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 6 W
阈值电压 950 mV
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 3.9 ns
输入电容Ciss 662pF @15VVds
额定功率Max 6 W
下降时间 2.2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSON-8
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
高度 1 mm
封装 VSON-8
工作温度 125℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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