CY14B104NA-ZSP25XI

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CY14B104NA-ZSP25XI概述

4兆位( 512K的X二百五十六分之八的K× 16 )的nvSRAM为20 ns , 25 ns的,和45 ns访问时间 4-Mbit 512 K x 8/256 K x 16 nvSRAM 20 ns, 25 ns, and 45 ns access times

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 4Mb 256K x 16 Parallel 25ns 54-TSOP II


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CY14B104NA-ZSP25XI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 70 mA

存取时间 25 ns

存取时间Max 25 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 TSOP-54

外形尺寸

封装 TSOP-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 3A991.b.2.a

数据手册

在线购买CY14B104NA-ZSP25XI
型号: CY14B104NA-ZSP25XI
描述:4兆位( 512K的X二百五十六分之八的K× 16 )的nvSRAM为20 ns , 25 ns的,和45 ns访问时间 4-Mbit 512 K x 8/256 K x 16 nvSRAM 20 ns, 25 ns, and 45 ns access times
替代型号CY14B104NA-ZSP25XI
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Cypress Semiconductor 赛普拉斯

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