18兆位( 512K的X 36/1的M× 18 )流水线SRAM与NOBL架构 18-Mbit 512 K x 36/1 M x 18 Pipelined SRAM with NoBL Architecture
SRAM - 同步,SDR 存储器 IC 18Mb(512K x 36) 并联 165-FBGA(13x15)
立创商城:
CY7C1370D-167BZXC
得捷:
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA
贸泽:
SRAM 18Mb 167Mhz 512Kx36 Pipelined SRAM
艾睿:
SRAM Chip Sync Quad 3.3V 18M-Bit 512K x 36 3.4ns 165-Pin FBGA Tray
罗切斯特:
SRAM Chip Sync Quad 3.3V 18M-bit 512K x 36 3.4ns 165-Pin FBGA Tray
DeviceMart:
IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165LFBGA
电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max
时钟频率 167MHz max
位数 36
存取时间 3.4 ns
内存容量 18000000 B
存取时间Max 3.4 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 3.135V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 3.135 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 165
封装 FBGA-165
高度 0.89 mm
封装 FBGA-165
工作温度 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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CY7C1370D-167BZXC Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | 当前型号 | 当前型号 |
CY7C1370KV33-167BZXC 赛普拉斯 | 完全替代 | CY7C1370D-167BZXC和CY7C1370KV33-167BZXC的区别 |
CY7C1370D-200BZC 赛普拉斯 | 类似代替 | CY7C1370D-167BZXC和CY7C1370D-200BZC的区别 |
CY7C1370C-200BZI 赛普拉斯 | 功能相似 | CY7C1370D-167BZXC和CY7C1370C-200BZI的区别 |