CIG21L1R5MNE

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CIG21L1R5MNE概述

0805 1.5uH ±20%

1.5µH Shielded Multilayer Inductor 1.05A 140mOhm


得捷:
FIXED IND 1.5UH 1.05A 140MOHM SM


艾睿:
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1.5uH 20% 1MHz Ferrite 1.05A 140mOhm DCR 0805 T/R


安富利:
Ind Power Chip Shielded Multi-Layer 1.5uH 20% 1MHz Ferrite 1.05A 0805 Embossed T/R


Verical:
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1.5uH 20% 1MHz Ferrite 1.05A 0.14Ohm DCR 0805 T/R


儒卓力:
**CIG21L 1,5uH 1050mA 20% MLT **


CIG21L1R5MNE中文资料参数规格
技术参数

额定电流 1.05 A

容差 ±20 %

电感 1.5 µH

产品系列 CIG

电感公差 ±20 %

测试频率 1 MHz

电阻DC) 140 mΩ

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 2012

封装 0805

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 1 mm

封装公制 2012

封装 0805

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 4000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

CIG21L1R5MNE引脚图与封装图
CIG21L1R5MNE引脚图
CIG21L1R5MNE封装图
CIG21L1R5MNE封装焊盘图
在线购买CIG21L1R5MNE
型号: CIG21L1R5MNE
制造商: Samsung 三星
描述:0805 1.5uH ±20%

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