CY14B101LA-ZS25XI

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CY14B101LA-ZS25XI概述

RAM,Cypress Semiconductor### 非易失 RAM NVRAMNVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块,用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 RTC。

非易失 RAM,

### 非易失 RAM NVRAM

NVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块,用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 RTC。


立创商城:
CY14B101LA-ZS25XI


欧时:
Cypress Semiconductor CY14B101LA-ZS25XI, 1Mbit SRAM 内存, 128K x 8, 1MHz, 2.7 至 3.6 V, 44针 TSOP封装


贸泽:
NVRAM 1Mb 3V 25ns 128K x 8 nvSRAM


艾睿:
NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 3V 44-Pin TSOP-II Tray


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NVRAM NVSRAM Parallel 1M-Bit 3V 44-Pin TSOP-II Tray


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NVRAM NVSRAM Parallel 1M-Bit 3V 44-Pin TSOP-II Tray


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NVRAM NVSRAM Parallel 1M-Bit 3V 44-Pin TSOP-II Tray


DeviceMart:
IC NVSRAM 1MBIT 25NS 44TSOPII


CY14B101LA-ZS25XI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 70 mA

时钟频率 1 MHz

存取时间 25 ns

存取时间Max 25 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 44

封装 TSOP-44

外形尺寸

长度 18.52 mm

宽度 10.262 mm

高度 1.044 mm

封装 TSOP-44

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买CY14B101LA-ZS25XI
型号: CY14B101LA-ZS25XI
描述:RAM,Cypress Semiconductor ### 非易失 RAM NVRAM NVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块,用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 RTC。
替代型号CY14B101LA-ZS25XI
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