CY7C1414BV18-200BZXI参数规格_中文资料_数据手册PDF

CY7C1414BV18-200BZXI概述

36 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 36Mb 1M x 36 Parallel 200MHz 165-FBGA 15x17

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CY7C1414BV18-200BZXI

得捷:
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

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SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-bit 1M x 36 0.45ns 165-Pin FBGA Tray

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SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-bit 1M x 36 0.45ns 165-Pin FBGA

CY7C1414BV18-200BZXI中文资料参数规格

技术参数

位数 36

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

引脚数 165

封装 LBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 LBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CY7C1414BV18-200BZXI

型号： CY7C1414BV18-200BZXI

描述：36 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture

替代型号CY7C1414BV18-200BZXI

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
CY7C1414BV18-200BZXI Cypress Semiconductor 赛普拉斯	当前型号	当前型号
CY7C1414BV18-200BZI 赛普拉斯	完全替代	CY7C1414BV18-200BZXI和CY7C1414BV18-200BZI的区别
CY7C1412KV18-250BZXI 赛普拉斯	功能相似	CY7C1414BV18-200BZXI和CY7C1412KV18-250BZXI的区别
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