CY7C11681KV18-450BZXC

CY7C11681KV18-450BZXC图片1
CY7C11681KV18-450BZXC图片2
CY7C11681KV18-450BZXC概述

18兆位的DDR II + SRAM双字突发架构( 2.5周期读延迟) 18-Mbit DDR II+ SRAM Two-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency

SRAM - 同步,DDR II+ 存储器 IC 18Mb(1M x 18) 并联 165-FBGA(13x15)


立创商城:
CY7C11681KV18-450BZXC


得捷:
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA


艾睿:
SRAM Chip Sync Single 1.8V 18M-bit 1M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA


Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Single 1.8V 18M-Bit 1M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA


CY7C11681KV18-450BZXC中文资料参数规格
技术参数

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CY7C11681KV18-450BZXC
型号: CY7C11681KV18-450BZXC
描述:18兆位的DDR II + SRAM双字突发架构( 2.5周期读延迟) 18-Mbit DDR II+ SRAM Two-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台