CY7C1565V18-400BZI

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CY7C1565V18-400BZI概述

72兆位QDR⑩ -II + SRAM 4字突发架构( 2.5周期读延迟) 72-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 72Mb 2M x 36 Parallel 400MHz 165-FBGA 15x17


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CY7C1565V18-400BZI


艾睿:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 72M-Bit 2M x 36 0.45ns 165-Pin FBGA


罗切斯特:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 72M-bit 2M x 36 0.45ns 165-Pin FBGA


CY7C1565V18-400BZI中文资料参数规格
技术参数

位数 36

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 LBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 LBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买CY7C1565V18-400BZI
型号: CY7C1565V18-400BZI
描述:72兆位QDR⑩ -II + SRAM 4字突发架构( 2.5周期读延迟) 72-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency

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