CY7C1514V18-250BZC

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CY7C1514V18-250BZC概述

72 - Mbit的QDR -II SRAM ™ 2字突发架构 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture

SRAM - 同步,QDR II 存储器 IC 72Mb(2M x 36) 并联 250 MHz 165-FBGA(15x17)


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CY7C1514V18-250BZC中文资料参数规格
技术参数

位数 36

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买CY7C1514V18-250BZC
型号: CY7C1514V18-250BZC
描述:72 - Mbit的QDR -II SRAM ™ 2字突发架构 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture

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