CY7C1312BV18-167BZI参数规格_中文资料_数据手册PDF

CY7C1312BV18-167BZI概述

18兆位QDR⑩ - II SRAM的2字突发架构 18-Mbit QDR⑩-II SRAM 2 Word Burst Architecture

SRAM - 同步，QDR II 存储器 IC 18Mb（1M x 18）并联 167 MHz 165-FBGA（13x15）

立创商城:
CY7C1312BV18-167BZI

得捷:
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

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SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-bit 1M x 18 0.5ns 165-Pin FBGA Tray

CY7C1312BV18-167BZI中文资料参数规格

技术参数

位数 18

存取时间Max 0.5 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

引脚数 165

封装 LBGA-165

外形尺寸

封装 LBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买CY7C1312BV18-167BZI

型号： CY7C1312BV18-167BZI

描述：18兆位QDR⑩ - II SRAM的2字突发架构 18-Mbit QDR⑩-II SRAM 2 Word Burst Architecture