CBR04C909B5GAC

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CBR04C909B5GAC概述

射频电容, C0G / NP0, 9 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 0.1pF, 125 °C, 0402 [1005公制]

CBR-SMD RF C0G, Ceramic, 9 pF, +/-0.1 pF, 50 VDC, C0G, SMD, Fixed, RF, Ultra High Q, Low ESR, Class I, 0402


立创商城:
9pF ±0.1pF 50V


得捷:
CAP CER 9PF 50V NP0 0402


e络盟:
射频电容, C0G / NP0, 9 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 0.1pF, 125 °C, 0402 [1005公制]


艾睿:
Cap Ceramic 9pF 50V C0G 0.1pF Pad SMD 0402 125°C T/R


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Cap Ceramic 9pF 50V C0G 0.1pF SMD 0402 125°C Punched Paper T/R


CBR04C909B5GAC中文资料参数规格
技术参数

电容 9 pF

容差 ±0.1 pF

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 50 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装公制 1005

封装 0402

外形尺寸

长度 1.00 mm

宽度 0.5 mm

高度 0.5 mm

封装公制 1005

封装 0402

厚度 0.5 mm

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 RF,微波,高频

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: CBR04C909B5GAC
描述:射频电容, C0G / NP0, 9 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 0.1pF, 125 °C, 0402 [1005公制]

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