C3M0120090J

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C3M0120090J中文资料参数规格
技术参数

额定功率 83 W

通道数 1

漏源极电阻 170 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 83 W

阈值电压 1.8 V

漏源极电压Vds 900 V

漏源击穿电压 900 V

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 350pF @600VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 83W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TO-263-8

外形尺寸

封装 TO-263-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买C3M0120090J
型号: C3M0120090J
描述:MOSFET N-CH 900V 22A
替代型号C3M0120090J
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