CDM22011-600LRFP

CDM22011-600LRFP中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 300 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 25 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 11A

上升时间 27 ns

下降时间 23 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: CDM22011-600LRFP
制造商: Central Semiconductor
描述:TO-220FP N-CH 600V 11A

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