CSD18510KCS

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CSD18510KCS概述

40V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、TO-220、1.7mΩ 3-TO-220 -55 to 175

通孔 N 通道 40 V 200A(Ta) 250W(Ta) TO-220-3


得捷:
MOSFET N-CH 40V 200A TO220-3


立创商城:
CSD18510KCS


德州仪器TI:
40-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single TO-220, 1.7 mOhm


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 40V 200A TO220-3 / N-Channel 40 V 200A Ta 250W Ta Through Hole TO-220-3


CSD18510KCS中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 250 W

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 8770pF @20VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买CSD18510KCS
型号: CSD18510KCS
制造商: TI 德州仪器
描述:40V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、TO-220、1.7mΩ 3-TO-220 -55 to 175

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