DRV5013AGEDBZTQ1

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DRV5013AGEDBZTQ1概述

汽车类、高电压(高达 38V)、高带宽 30kHz 霍尔效应锁存器 3-SOT-23 -40 to 150

This precision engineered Hall effect sensor from Texas Instruments can be used to detect a magnetic field. This device"s minimum operating supply voltage of 2.5 V, while its maximum is 38 V. This part has a temperature range of -40 °C to 125 °C. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components.

DRV5013AGEDBZTQ1中文资料参数规格
技术参数

输出电压 38 V

输出电流Max 30 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 38V

电源电压Max 38 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

DRV5013AGEDBZTQ1引脚图与封装图
DRV5013AGEDBZTQ1引脚图
DRV5013AGEDBZTQ1封装图
DRV5013AGEDBZTQ1封装焊盘图
在线购买DRV5013AGEDBZTQ1
型号: DRV5013AGEDBZTQ1
制造商: TI 德州仪器
描述:汽车类、高电压(高达 38V)、高带宽 30kHz 霍尔效应锁存器 3-SOT-23 -40 to 150
替代型号DRV5013AGEDBZTQ1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DRV5013AGEDBZTQ1

TI 德州仪器

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DRV5013AGEDBZRQ1

德州仪器

完全替代

DRV5013AGEDBZTQ1和DRV5013AGEDBZRQ1的区别

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