DTA024EMT2L参数规格_中文资料_数据手册PDF

DTA024EMT2L概述

晶体管双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 电阻比率

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 30mA 250MHz 150mW Surface Mount VMT3

得捷:
TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3

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DTA024EMT2L

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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin VMT T/R

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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin VMT T/R

DTA024EMT2L中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.15 W

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 10V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-105-3

外形尺寸

封装 SC-105-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

数据手册

DTA024EMT2L引脚图与封装图

在线购买DTA024EMT2L

型号： DTA024EMT2L

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：晶体管双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 电阻比率

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替代型号DTA024EMT2L

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