DTC 系列 50 V 100 mA 表面贴装 NPN 数字晶体管 - SC-59
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT
得捷:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 100MA
艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SMT T/R
安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SMT T/R
Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 82 @5mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 82
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-59-3
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 1.1 mm
封装 SC-59-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DTC115GKAT146 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
DTC115EKAT146 罗姆半导体 | 类似代替 | DTC115GKAT146和DTC115EKAT146的区别 |
DTC115EMT2L 罗姆半导体 | 类似代替 | DTC115GKAT146和DTC115EMT2L的区别 |
DDTC115GCA-7 美台 | 类似代替 | DTC115GKAT146和DDTC115GCA-7的区别 |