DTA114TUBTL参数规格_中文资料_数据手册PDF

DTA114TUBTL概述

晶体管双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3

得捷:
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3

贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 TRANS DIGI BJT PNP 50V 100MA

e络盟:
晶体管双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm

艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R

DTA114TUBTL中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.2 W

极性 PNP

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 UMT-3F-3

外形尺寸

封装 UMT-3F-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DTA114TUBTL

型号： DTA114TUBTL

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：晶体管双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm

替代型号DTA114TUBTL

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
DTA114TUBTL ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
DTA114TKAT146 罗姆半导体	完全替代	DTA114TUBTL和DTA114TKAT146的区别
DTA114TKA 罗姆半导体	类似代替	DTA114TUBTL和DTA114TKA的区别
DTA114TUA 罗姆半导体	类似代替	DTA114TUBTL和DTA114TUA的区别