DTB523YETL参数规格_中文资料_数据手册PDF

DTB523YETL概述

双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 12V 500mA 260MHz 150mW Surface Mount EMT3

得捷:
TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR

艾睿:
Trans Digital BJT PNP 12V 500mA 3-Pin EMT T/R

Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 12V 500mA 3-Pin EMT T/R

Verical:
Trans Digital BJT PNP 12V 500mA 3-Pin EMT T/R

Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

DeviceMart:
TRAN DIGITAL PNP 12V 500MA EMT3

DTB523YETL中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.15 W

极性 PNP

耗散功率 0.15 W

击穿电压集电极-发射极 12 V

集电极最大允许电流 500mA

最小电流放大倍数hFE 140 @100mA, 2V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 260 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-416

外形尺寸

封装 SOT-416

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

DTB523YETL引脚图与封装图

在线购买DTB523YETL

型号： DTB523YETL

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR

替代型号DTB523YETL

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
DTB523YETL ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
DTB513ZETL 罗姆半导体	完全替代	DTB523YETL和DTB513ZETL的区别
DTB543ZETL 罗姆半导体	完全替代	DTB523YETL和DTB543ZETL的区别
DTB513ZMT2L 罗姆半导体	完全替代	DTB523YETL和DTB513ZMT2L的区别