16K非易失SRAM 16k Nonvolatile SRAM
NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 16Kb 2K x 8 Parallel 100ns 24-EDIP
得捷:
IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
贸泽:
NVRAM
电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max
时钟频率 100 GHz
存取时间 100 ns
内存容量 16000 B
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 4.5 V
安装方式 Through Hole
引脚数 24
封装 DIP-24
长度 34.04 mm
宽度 18.29 mm
高度 9.4 mm
封装 DIP-24
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DS1220AD-100 Maxim Integrated 美信 | 当前型号 | 当前型号 |
DS1220AD-100+ 美信 | 完全替代 | DS1220AD-100和DS1220AD-100+的区别 |
DS1220Y-100IND+ 美信 | 完全替代 | DS1220AD-100和DS1220Y-100IND+的区别 |
DS1220AD-100IND+ 美信 | 类似代替 | DS1220AD-100和DS1220AD-100IND+的区别 |