DS1250W-100IND参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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DS1250W-100IND概述

IC NVSRAM 4Mbit 100NS 32EDIP

Memory IC 4Mb 512K x 8 Parallel 100ns

得捷:
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP

贸泽:
NVRAM 3.3V 4096K NV SRAM

DS1250W-100IND中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max

时钟频率 100 GHz

存取时间 100 ns

内存容量 4000000 B

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 32

封装 DIP-32

外形尺寸

长度 43.69 mm

宽度 18.8 mm

高度 9.4 mm

封装 DIP-32

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

数据手册

DS1250W-100IND引脚图与封装图

DS1250W-100IND引脚图

DS1250W-100IND封装图

DS1250W-100IND封装焊盘图

在线购买DS1250W-100IND

型号： DS1250W-100IND

制造商： Maxim Integrated 美信

描述：IC NVSRAM 4Mbit 100NS 32EDIP

替代型号DS1250W-100IND

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

DS1250W-100IND

Maxim Integrated 美信

当前型号

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DS1250W-100+

美信

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