DMT10H015LK3-13

DMT10H015LK3-13图片1
DMT10H015LK3-13图片2
DMT10H015LK3-13概述

N沟道,Vdss=100V,Idss=50A

N-Channel 100V 50A Tc 2.9W Ta Surface Mount TO-252, D-Pak


得捷:
MOSFET BVDSS: 61V 100V TO252 T&R


贸泽:
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 52.7A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 52.7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
MOSFET BVDSS: 61V 100V TO252 T&R


DMT10H015LK3-13中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 2.9 W

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 1871 pF

下降时间 8.1 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.9W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DMT10H015LK3-13
型号: DMT10H015LK3-13
制造商: Diodes 美台
描述:N沟道,Vdss=100V,Idss=50A

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台